- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382393 > PHT6N06 (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS transistor Standard level FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PHT6N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | PHT6N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N06T
Dimensions in mm.
Fig.19. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
September 1997
8
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHU2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW14N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW20N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT6N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 5.5A SOT223 |
| PHT6N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6N06LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| PHT6N06LT.135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N REEL 4K |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。