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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHT6N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | PHT6N03LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT6N03LT
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 5.9 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
amb
); conditions: I
D
= 5.9 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
9830-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 150
25
0.1
1
10
100
100
1000
10000
9528-30
VDS / V
C / pF
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
Ambient temperature, Tamb (C)
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
9830-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
5
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT6N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHU2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT6N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12.8A I(D) | SOT-223 |
| PHT6N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N03TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12.8A I(D) | SOT-223 |
| PHT6N06 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 5.5A SOT223 |
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