參數(shù)資料
型號(hào)： PHP63NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： PHP63NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
7 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ai29
0
0.8
1.6
2.4
3.2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03ai28
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
VGS(V)
typ
max
min
03ai89
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB65N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB87NO3T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB9N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW9N60E GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP63NQ03LT,127 功能描述:MOSFET PHP63NQ03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP63NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
PHP65N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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