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參數(shù)資料
| 型號： | PHP63NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | PHP63NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
11 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 16. SOT428 (D-PAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
TO-252
SC-63
99-09-13
01-12-11
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
E1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
D1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
b
E1
E
HE
w
y
max.
A2
b2
b1
c
D1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.93
0.73
0.89
0.71
1.1
0.9
5.46
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.9
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW9N60E | GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP63NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET PHP63NQ03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220 |
| PHP65N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP65N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP66NQ03LT | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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