參數(shù)資料
型號： PHP63NQ03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： PHP63NQ03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
2 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
V
GSM
peak gate-source voltage
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
30
30
±
20
±
25
68.9
48.7
240
111
+175
+175
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
t
p
≤
50
μ
s; pulsed; duty cycle = 25 %
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
mb
= 25
°
C
-
-
68.9
48.7
A
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB65N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB87NO3T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB9N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW9N60E GT 10C 10#16 SKT PLUG RTANG
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP63NQ03LT,127 功能描述:MOSFET PHP63NQ03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP63NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220
PHP65N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP65N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP66NQ03LT 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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