參數(shù)資料
型號： PHP54N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 54 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 295K
代理商： PHP54N06T
Philips Semiconductors
PHP54N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 14 February 2001
7 of 13
9397 750 08022
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
VGS(th)
(V)
max.
typ.
min
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
4
5
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
03nc60
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
(S)
03nc65
0
500
1000
1500
2000
2500
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
Ciss,
Coss,
Crss
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料
PDF描述
PHP55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHP55N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管)
PHP5N20E PowerMOS transistor
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHP54N06T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHP55N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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