參數資料
型號： PHD95N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數： 6/13頁
文件大?。?/td> 282K
代理商： PHD95N03LT
Philips Semiconductors
PHD95N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 18 July 2001
6 of 13
9397 750 08216
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
≥
I
D
x R
DSON
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ad78
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
DS
(V)
3 V
5 V
T
j
= 25 oC
V
GS
= 2.5 V
10 V
3.5 V
03ad80
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25 oC
175 oC
03ad79
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
15
30
45
60
75
I
D
(A)
R
DSon
(
)
2.5 V
V
GS
= 3 V
T
j
= 25 oC
5V
10 V
3.5 V
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
)
---------------------------
=
相關PDF資料
PDF描述
PHK4NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHM21NQ15T TrenchMOS standard level FET
PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
PHD96NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD96NQ03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD96NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD97NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD97NQ03LT,118 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*