參數(shù)資料
型號(hào)： PHD95N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： PHD95N03LT
Philips Semiconductors
PHD95N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 18 July 2001
4 of 13
9397 750 08216
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Value
1.3
Unit
K/W
mounted on a printed circuit board;
minimum footprint
50
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ae85
10-3
10-2
10-1
1
10
10-5
10
10-3
10-2
10-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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