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參數資料
| 型號： | PHD21N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 19 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | PHD21N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP21N06LT, PHB21N06LT
PHD21N06LT
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
maximum
0
5
10
15
20
25
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 20A
Tj = 25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
August 1999
5
Rev 1.500
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| PHD22NQ20T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD22NQ20T /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD22NQ20T,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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