參數(shù)資料
型號： PHB125N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 67K
代理商： PHB125N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB125N06T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
75
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
240
1.2
-
-
-
A
V
V
ns
μ
C
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.85
1.0
65
0.18
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 75 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
500
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PHB14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHD14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
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參數(shù)描述
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