參數(shù)資料
型號(hào)： PH3855L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 24 A, 55 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 83K
代理商： PH3855L
9397 750 13925
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 26 January 2005
3 of 12
Philips Semiconductors
PH3855L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 5 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
Fig 3.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
)
------------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
--------------------
100
%
×
=
03ar86
10
-1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PH3912725871 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PTV Small Signal Board
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