參數(shù)資料
型號(hào)： PH2625L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 100 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： PH2625L
9397 750 14324
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 02 — 24 February 2005
8 of 13
Philips Semiconductors
PH2625L
N-channel TrenchMOS logic level FET
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
V
DS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 14. Input and reverse transfer capacitances as a
function of gate-source voltage; typical values
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values
003aaa556
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
003aaa632
0
2000
4000
6000
8000
0
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
C
(pF)
C
rss
C
iss
003aaa557
0
10
20
30
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
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PDF描述
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