參數(shù)資料
型號: PH20100S
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述: 34.3 A, 100 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝: PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: PH20100S
9397 750 13698
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 17 August 2004
8 of 12
Philips Semiconductors
PH20100S
N-channel TrenchMOS standard level FET
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 20 A; V
DD
= 50 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
003aaa412
0
10
20
30
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
003aaa413
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
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