參數(shù)資料
型號: PH20100S
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述: 34.3 A, 100 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝: PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商: PH20100S
9397 750 13698
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 17 August 2004
7 of 12
Philips Semiconductors
PH20100S
N-channel TrenchMOS standard level FET
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Fig 9.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
max
typ
min
003aaa411
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
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