參數(shù)資料
型號： PH20100S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 34.3 A, 100 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： PH20100S
9397 750 13698
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 17 August 2004
3 of 12
Philips Semiconductors
PH20100S
N-channel TrenchMOS standard level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
Fig 3.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
P
der
(%)
(
°
C)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
(%)
I
der
T
mb
(
°
C)
P
der
P
tot 25 C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
003aaa406
10
-1
1
10
10
2
10
3
1
10
10
2
10
3
V
DS
(V)
I
D
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit RDSon = VDS / ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
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