參數(shù)資料
型號： PH20100S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 34.3 A, 100 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： PH20100S
9397 750 13698
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 17 August 2004
6 of 12
Philips Semiconductors
PH20100S
N-channel TrenchMOS standard level FET
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa408
0
10
20
30
40
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
I
D
(A)
V
GS
= 5.5 V
4.5 V
5 V
4.8 V
5.2 V
6 V
10 V
003aaa409
0
10
20
30
40
2
3
4
5
6
V
GS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa410
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
I
D
(A)
R
DSon
(m
)
5.2 V
7 V
V
GS
= 5 V
5.5 V
10 V
6 V
03aa31
0
1
2
3
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
)
----------------------------
=
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PDF描述
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