參數(shù)資料
型號： PDTB123Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
中文描述： PNP配電阻型晶體管：耐壓值50V，電流500mA
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 75K
代理商： PDTB123Y
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
8 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
10. Revision history
Table 10:
Document ID
PDTB123Y_SER_1
Revision history
Release date
20050427
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Doc. number
9397 750 14905
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTB123YK PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YS PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC123 NPN resistor-equipped transistor
PDTC123J NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTB123YK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low VCEsat (BISS) transistors
PDTB123YK T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YK,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
PDTB123YS,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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