型號: | PDTB123Y |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
英文描述: | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
中文描述: | PNP配電阻型晶體管:耐壓值50V,電流500mA |
文件頁數(shù): | 6/10頁 |
文件大?。?/td> | 75K |
代理商: | PDTB123Y |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PDTB123YK | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
PDTB123YS | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
PDTC123JEF | NPN resistor-equipped transistor |
PDTC123 | NPN resistor-equipped transistor |
PDTC123J | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PDTB123YK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low VCEsat (BISS) transistors |
PDTB123YK T/R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PDTB123YK,115 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
PDTB123YS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ |
PDTB123YS,126 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |