參數(shù)資料
型號： PDTB123Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
中文描述： PNP配電阻型晶體管：耐壓值50V，電流500mA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 75K
代理商： PDTB123Y
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
3 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
3.
Ordering information
[1]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
and
Section 9
).
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Table 4:
Type number
Ordering information
Package
Name
SC-59A
SC-43A
Description
plastic surface mounted package; 3 leads
plastic single-ended leaded (through hole) package;
3 leads
plastic surface mounted package; 3 leads
Version
SOT346
SOT54
PDTB123YK
PDTB123YS
[1]
PDTB123YT
-
SOT23
Table 5:
Type number
PDTB123YK
PDTB123YS
PDTB123YT
Marking codes
Marking code
[1]
E8
B123YS
*7Y
Table 6:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
V
I
input voltage
positive
negative
I
O
output current (DC)
P
tot
total power dissipation
SOT346
SOT54
SOT23
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
T
amb
ambient temperature
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
Max
50
50
5
Unit
V
V
V
-
-
-
+5
12
500
V
V
mA
T
amb
≤
25
°
C
[1]
-
250
500
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1]
-
[1]
-
65
-
65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTB123YK PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YS PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC123 NPN resistor-equipped transistor
PDTC123J NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PDTB123YK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Low VCEsat (BISS) transistors
PDTB123YK T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YK,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123YS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
PDTB123YS,126 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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