參數(shù)資料
型號： PDTC123JEF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN resistor-equipped transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： PDTC123JEF
DATA SHEET
Preliminary specification
1999 May 27
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC123JEF
NPN resistor-equipped transistor
M3D425
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTC123 NPN resistor-equipped transistor
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PDTC124EK NPN resistor-equipped transistor
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參數(shù)描述
PDTC123JEF,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
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PDTC123JK,115 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ
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