參數(shù)資料
型號： PDTB123Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
中文描述： PNP配電阻型晶體管：耐壓值50V，電流500mA
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 75K
代理商： PDTB123Y
9397 750 14905
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
5 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123Y series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 10 k
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 1.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 2.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
=
0.3 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 4.
Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aaa357
10
10
2
10
3
h
FE
1
10
1
I
C
(mA)
10
3
10
2
1
10
(1)
(2)
(3)
006aaa358
I
C
(mA)
1
10
2
10
10
1
V
CEsat
(V)
10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa359
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
I(on)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
1
10
1
006aaa360
1
10
V
I(off)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PDTB123YK PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YS PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor
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