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參數(shù)資料
| 型號： | P4C1981-45CMB |
| 廠商： | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16K X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 12/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | P4C1981-45CMB |
P4C1981/1981L, P4C1982/1982L
Page 6 of 13
Document # SRAM114 REV B
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE
(V
CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Parameter
Symbol
–10
–12
–15
–20
–25
–35
–45
Min Max
Max
Min
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
Write Cycle Time
Chip Enable Time
to End of Write
Address Valid to
End of Write
Address Set-up
Time
t
WZ
t
DH
t
DW
t
AH
t
WP
Write Pulse Width
Address Hold Time
from End of Write
Data Valid to End
of Write
Data Hold Time
Write Enable to
Output in High Z
t
OW
Output Active from
End of Write
10
7
0
8
0
5
0
2
5
12
8
0
9
0
6
0
2
6
13
10
0
10
0
7
0
2
7
15
0
15
0
10
0
2
8
20
0
20
0
13
0
2
10
30
25
0
25
0
15
0
2
10
40
35
0
35
0
20
0
2
15
Unit
ns
t
AWE
t
ADV
Write Enable to
Data-out Valid
(P4C1981)
Data-in Valid to
Data-out Valid
(P4C1981)
ns
10
12
13
18
20
30
35
30
20
WRITE CYCLE NO. 1 (WITH OE
OE
OE HIGH)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4KE16AE3 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P4KE180CAE3 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P4KE200CAE3 | 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P4KE56E3 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| P4KE100E3 | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P4C214-13PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-17PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-20PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25GR52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| P4C214-25PP52C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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