參數(shù)資料
型號(hào)： P4C169-55LMB
廠商： PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 4K X 4 STANDARD SRAM, 55 ns, CQCC20
封裝： 0.290 X 0.430 INCH, CERAMIC, LCC-20
文件頁(yè)數(shù)： 10/14頁(yè)
文件大小： 263K
代理商： P4C169-55LMB
5
P4C168, P4C169, P4C170
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE
(V
CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max
tWC
Write Cycle Time
12
15
18
20
30
ns
tcw
Chip Enable Time to End of Write
1215182030
ns
tAW
Address Valid to End of Write
1215182030
ns
tAS
Address Set-up Time
00000
ns
tWP
Write Pulse Width
1215182030
ns
tAH
Address Hold Time
00000
ns
tDW
Data Valid to End of Write
7
8
10
15
ns
tDH
Data Hold Time
00000
ns
tWZ
Write Enable to Output in High Z
4567
13
ns
tOW
Output Active from End of Write
00000
ns
Sym
Parameter
Unit
-35
-12
-15
-20
-25
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE (CONTINUED)
(V
CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
(2)
Min Max Min Max Min Max
tWC
Write Cycle Time
45
55
70
ns
tcw
Chip Enable Time to End of Write
40
50
60
ns
tAW
Address Valid to End of Write
40
50
60
ns
tAS
Address Set-up Time
0
ns
tWP
Write Pulse Width
40
50
60
ns
tAH
Address Hold Time
0
ns
tDW
Data Valid to End of Write
20
25
ns
tDH
Data Hold Time
3
ns
tWZ
Write Enable to Output in High Z
20
25
30
ns
tOW
Output Active from End of Write
0
ns
Sym
Parameter
Unit
-45
-55
-70
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P4C1981-45CMB 16K X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28
P4KE16AE3 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE180CAE3 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE200CAE3 400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
P4KE56E3 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P4C188-30PC 制造商:PERF SEMI 功能描述:
P4C214-13PP52C 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM
P4C214-17PP52C 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM
P4C214-20PP52C 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM
P4C214-25GR52B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM
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