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參數資料
| 型號： | P0120009P |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type) |
| 中文描述： | 2W的GaAs功率場效應管（無鉛型） |
| 文件頁數： | 6/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 582K |
| 代理商： | P0120009P |
NF Characteristics
Technical Note
P0120009P
2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
[Note]
The data for Smith charts were measured at frequency of 2GHz and Tc of 25°C.
Ids=400mA
Ids=350mA
Ids=300mA
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
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4.0
-0.2
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-.
-
Vds=8V
Ids=400mA
Associated
Gain(dB)
Vds=8V
Ids=300mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.34
0.28
0.26
0.35
0.41
0.51
0.55
0.58
0.61
Ang(deg)
-64.4
-6.2
48.8
92.7
128.6
153.6
-178.1
-152.3
-124.6
Mag
0.33
0.26
0.19
0.30
0.34
0.45
0.50
0.54
0.55
Ang(deg)
-77.9
-17.4
39.7
86.8
126.2
151.0
179.4
-154.0
-123.9
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.23
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0.95
0.95
1.10
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1.43
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0.11
0.14
0.13
0.10
0.06
0.04
0.08
0.20
21.8
19.4
17.7
16.6
15.6
14.9
14.1
13.4
12.9
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
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0.62
0.84
0.84
0.95
1.08
1.34
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0.12
0.11
0.10
0.06
0.04
0.06
0.17
21.1
19.0
17.1
16.1
15.1
14.4
13.7
13.1
12.5
Vds=8V
Ids=350mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.33
0.25
0.21
0.33
0.36
0.48
0.52
0.57
0.58
Ang(deg)
-73.8
-11.0
46.0
89.9
129.2
153.1
-179.2
-153.2
-124.8
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
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1.04
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0.12
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21.3
19.2
17.4
16.4
15.3
14.7
13.9
13.3
12.7
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
0
0.5
1.0
Frequency (GHz)
1.5
2.0
2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
N
Ids=400mA
Ids=350mA
Ids=300mA
.5
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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