參數(shù)資料
型號: P0120009P
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述: 2W的GaAs功率場效應(yīng)管(無鉛型)
文件頁數(shù): 5/13頁
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代理商: P0120009P
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-5-
Technical Note
P0120009P
2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Tc= 25
°C, Vds=8V, Ids=400mA, Pin=5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.81
-155.1
Pout max : 17.65dBm
: 0.54
169.9
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.74
-156.6
IP3 max : 50.7dBm
: 0.55
-171.5
Tc= 25°C, Vds=8V, Ids=350mA, Pin=5dBm
[Pout-Lstate]
f = 2.1GHz
Γ
pout
Source : 0.81
-155.1
Pout max : 17.7dBm
: 0.54
169.9
[IP3-Lstate]
f1 = 2.1GHz
f2 = 2.101GHz
Γ
IP3
Source : 0.74
-156.6
IP3 max : 50.55dBm
: 0.49
-172.9
+j25
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
50
25
100
16.45
17.7
+j25
50
+j50
+j100
-j100
-j50
-j25
25
100
45.55
50.55
+j100
100
+j50
+j25
-j25
-j50
-j100
50
25
45.7
50.7
+j100
+j25
+j50
100
50
-j25
-j50
-j100
16.4
17.65
25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
P048F048M12AL TRANSF T1/E1 1.41CT:1 EE5 SMD
P048F048M24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
P048K048T24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
P048K048M24AL VI Chip - PRM-AL Pre-regulator Module
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參數(shù)描述
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國線規(guī)(AWG):18 電壓額定值:250 V 長度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
P0120CN 5DA4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P0120CN 5DA4 - Tape and Reel
P012-1-010X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class
P012-1-012X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class
P012-1-016X 制造商:ENSIGN 制造商全稱:ENSIGN 功能描述:Captain Class