參數(shù)資料
型號(hào)： P0120003P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 800mW的GaAs功率場效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 623K
代理商： P0120003P
NF Characteristics
Technical Note
P0120003P
800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
[Note]
The data for Smith charts were measured at frequency of 2GHz and Tc of 25°C.
2.0
1.49
0.42
-140.2
Ids=220mA
Ids=180mA
Ids=160mA
0
1
1
5
2
3
4
0
0
0
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0
0
1.43
1.93
-
5.0
-
1
10.0
-
-
-
20
-
30
4.0
-0.2
0
-04
0
-.
-
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
0
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1
10.0
5
2
3
-
4
5.0
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0
0
0
0
1.55
2.05
-
1
-
-
-
20
-
30
4.0
-0.2
0
-04
0
-.
-
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1
1
5
2
3
-
4
5.0
0
0
0
0
0
1.49
1.99
-
1
10.0
-
-
-
20
-
30
4.0
0
-0.2
0
-04
0
-.
-
Vds=6V
Ids=220mA
Associated
Gain(dB)
Vds=6V
Ids=160mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.43
0.35
0.28
0.36
0.40
0.47
0.51
0.55
0.47
Ang(deg)
-90.8
-35.4
13.4
61.4
99.2
129.9
159.5
-173.9
-141.6
Mag
0.43
0.33
0.26
0.32
0.34
0.43
0.46
0.52
0.41
Ang(deg)
-93.5
-45.3
3.9
54.5
94.5
125.8
156.0
-177.3
-141.5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.58
0.55
0.72
0.77
0.95
0.98
1.07
1.16
1.55
0.09
0.13
0.16
0.16
0.13
0.09
0.05
0.04
0.12
21.8
20.3
18.6
17.6
16.5
15.7
15.0
14.3
13.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.53
0.49
0.63
0.69
0.88
0.89
0.96
1.04
1.43
0.08
0.11
0.14
0.14
0.12
0.09
0.05
0.04
0.12
21.6
19.8
18.2
17.2
16.1
15.4
14.7
14.1
13.1
Vds=6V
Ids=180mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.44
0.33
0.27
0.33
0.34
0.45
0.48
0.53
Ang(deg)
-89.2
-42.7
6.7
56.8
96.5
127.5
157.2
-176.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.51
0.51
0.65
0.71
0.90
0.91
0.99
1.08
0.08
0.11
0.14
0.13
0.13
0.08
0.05
0.04
0.12
21.9
19.9
18.3
17.3
16.2
15.5
14.8
14.1
13.2
Rn/50
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
Freq.
(GHz)
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
NFmin
(dB)
Γ
opt
0
0.5
1.0
Frequency (GHz)
1.5
2.0
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
N
Ids=220mA
Ids=180mA
Ids=160mA
-6-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120004P 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P0120004P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
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