參數(shù)資料
型號(hào)： P0120003P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 800mW的GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大小： 623K
代理商： P0120003P
Technical Note
P0120003P
800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Ids=220mA
Ids=180mA
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Pin (dBm)
Pout
Gain
IP3
η
add
IM3
IM3/Pout
P
I
I
I
η
a
-20
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
Pin (dBm)
Pout
Gain
IP3
η
add
IM3
IM3/Pout
P
I
I
I
η
a
Device: P0120003P
Frequency: f1=2.1GHz, f2=2.101GHz
Bias: Vds=6V, Ids=220mA
Source Matching:Mag 0.61 Ang -159.3
°
Load Matching:Mag 0.48 Ang -155.4
°
Device:P0120003P
Frequency: f1=2.1GHz, f2=2.101GHz
Bias:Vds=6V,Ids=180mA
Source Matching:Mag 0.61 Ang -159.3
°
Load Matching:Mag 0.437 Ang -160.7
°
[Note]
P
out
and
η
add
are measured by one signal.
The data for the figures above were measured with the load impedance matched to IP3.
Id=220mA
Pin
(dBm)
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
15.0
Pout
(dBm)
-2.0
3.2
8.1
13.1
18.0
23.1
27.6
Gain
(dB)
13.0
13.2
13.1
13.1
13.0
13.1
12.6
IM3
(dBm)
-75.0
-70.2
-59.5
-46.0
-28.5
-2.5
11.1
IM3/Pout
(dBc)
-73.0
-73.3
-67.7
-59.0
-46.5
-25.7
-16.5
IP3
(dBm)
34.5
39.9
42.1
42.6
41.0
35.2
33.8
Id
(mA)
220.5
219.1
216.4
212.0
205.3
207.5
252.6
η
add
(%)
0.0
0.2
0.5
1.5
4.9
15.7
35.8
Id=180mA
Pin
(dBm)
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
15.0
Pout
(dBm)
-1.7
3.5
8.4
13.4
18.4
23.4
27.6
Gain
(dB)
13.3
13.5
13.4
13.4
13.4
13.4
12.6
IM3
(dBm)
-75.4
-68.7
-56.1
-41.3
-23.0
0.6
11.1
IM3/Pout
(dBc)
-73.7
-72.2
-64.5
-54.7
-41.3
-22.8
-16.5
IP3
(dBm)
35.1
39.6
40.7
40.7
39.0
33.9
34.0
Id
(mA)
178.2
177.1
174.8
171.2
165.1
173.1
216.4
η
add
(%)
0.1
0.2
0.6
2.0
6.6
20.1
41.9
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
-4-
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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P0120007P 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
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P0120007P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
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