參數(shù)資料
型號： P0120003P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 800mW的GaAs功率場效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 623K
代理商： P0120003P
Typical Characteristics
Technical Note
P0120003P
800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
Load-pull Characteristics (Typical Data)
T
Tc (
°
C)
3
4
2
1
00
50
100
150
200
Vgs=0V
-2.0V
6
-1.5V
-1.0V
-0.5V
Vds (V)
1000
D
750
500
250
00
2
4
8
Transfer Curve
Power Derating Curve
Tc=25°C, Vds=6V
Ids=220mA,
Common Source, Zo=50
(Calibrated to device leads)
0
9
-180
-
45
13
-15
-4
S12
S21
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
2.4GHz
2.0
6.0
4.0
0
0.02
0.04
0.06
0
Scale for |S12|
S
0
1
10.0
-
5
5.0
2
20
3
-
4
0
0
0
0
0
0
1
-
1
-
-
-
30
4.0
-02
0
-04
0
-.
-
S11
S22
1.2GHz
1.2GHz
2.4GHz
2.4GHz
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
-2-
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P0120004P 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P02221B2P 500mW InGaP HBT Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P0120004P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120007P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120008P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:1W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P0120009P 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:2W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
P012-006 功能描述:交流電源線 2 COND 6’ LAPTOP BLK RoHS:否 制造商:Schaffner 地區(qū):North American 插頭:NEMA 5-15P 插座:C13 Locking 功率額定值:2500 W 電流額定值:10 A 線規(guī) - 美國線規(guī)（AWG）:18 電壓額定值:250 V 長度:6 ft 屏蔽: 外殼顏色:Black
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