參數(shù)資料
型號(hào)： OPA659IDBVR
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 32/32頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
放大器類型： J-FET
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 2550 V/µs
增益帶寬積： 350MHz
-3db帶寬： 650MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 1000µV
電流 - 電源： 32mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±3.5 V ~ 6.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-23-5
包裝： 帶卷 (TR)
3
2
1
0
1
2
3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
S
L
W
±
-
40
50
60
70
80
90
100
-
IntermodulationDistortion(dBc)
0
50
100
150
Frequency(MHz)
Second-Order
Third-Order
V = 6.0V
R =100
Gain=+2V/V
Two-Tone,1MHzSpacing
1V
EachTone
S
L
W
±
PP
3
2
1
0
1
2
3
-
6
4
2
0
2
4
6
-
V
(V)
IN
V
(V)
O
U
T
0
20
40
60
80
120
100
Time(ns)
V
IN
LeftScale
V
OUT
RightScale
V = 6.0V
R =100
Gain= 2V/V
S
L
W
-
±
1000
100
10
1
Input-ReferredV
oltageNoise(nV/
)
Input-ReferredCurrentNoise(fA/
Hz
)
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency(Hz)
6
Input-Referred
VoltageNoise
Input-Referred
CurrentNoise
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CMRR,PSRR(dB)
100k
1M
10M
100M
Frequency(Hz)
+PSRR
-
PSRR
CMRR
100
10
1
R
(
)
W
ISO
10
100
1000
CapacitiveLoad(pF)
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)
At VS = ±6V, RF = 0, G = +1V/V, and RL = 100, unless otherwise noted.
TWO-TONE, SECOND- AND THIRD-ORDER IMD
vs FREQUENCY
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = +2V/V)
Figure 19.
Figure 20.
INPUT-REFERRED VOLTAGE AND CURRENT NOISE
OVERDRIVE RECOVERY (GAIN = –2V/V)
DENSITY
Figure 21.
Figure 22.
COMMON-MODE REJECTION RATIO AND
POWER-SUPPLY REJECTION RATIO
RECOMMENDED RISO
vs FREQUENCY
vs CAPACITIVE LOAD (RLOAD = 1k)
Figure 23.
Figure 24.
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
9
Product Folder Link(s): OPA659
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAX4202ESA+T IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC
OPA659IDRBR IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON
MAX4104ESA+T IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC
P40-G240-WHX CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU
RL0510S-R10-F RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OPA659IDBVT 功能描述:高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBR 功能描述:高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
OPA660 制造商:BB 制造商全稱:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER
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