參數(shù)資料
型號： OPA659IDBVR
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 18/32頁
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5
標準包裝： 3,000
放大器類型： J-FET
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 2550 V/µs
增益帶寬積： 350MHz
-3db帶寬： 650MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 1000µV
電流 - 電源： 32mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±3.5 V ~ 6.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
供應商設備封裝： SOT-23-5
包裝： 帶卷 (TR)
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package
Type
Package
Drawing
Pins
SPQ
Reel
Diameter
(mm)
Reel
Width
W1 (mm)
A0
(mm)
B0
(mm)
K0
(mm)
P1
(mm)
W
(mm)
Pin1
Quadrant
OPA659IDBVR
SOT-23
DBV
5
3000
180.0
8.4
3.2
3.1
1.39
4.0
8.0
Q3
OPA659IDBVT
SOT-23
DBV
5
250
180.0
8.4
3.2
3.1
1.39
4.0
8.0
Q3
OPA659IDRBR
SON
DRB
8
3000
330.0
12.4
3.3
1.1
8.0
12.0
Q2
OPA659IDRBT
SON
DRB
8
250
180.0
12.4
3.3
1.1
8.0
12.0
Q2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
11-Oct-2013
Pack Materials-Page 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MAX4202ESA+T IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC
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RL0510S-R10-F RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
OPA659IDBVT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBR 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
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