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參數(shù)資料
| 型號： | OPA659IDBVR |
| 廠商： | Texas Instruments |
| 文件頁數(shù)： | 15/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5 |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 放大器類型： | J-FET |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉換速率： | 2550 V/µs |
| 增益帶寬積： | 350MHz |
| -3db帶寬： | 650MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 10pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 1000µV |
| 電流 - 電源： | 32mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 70mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SC-74A，SOT-753 |
| 供應商設備封裝： | SOT-23-5 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009 ............................................................................................................................................ www.ti.com
Revision History
NOTE: Page numbers for previous revisions may differ from page numbers in the current version.
Changes from Revision A (March, 2009) to Revision B ................................................................................................. Page
Removed footnote and table markings regarding SOT23-5 package availabilty................................................................... 2
Removed lead temperature specification from Absolute Maximum Ratings table ................................................................ 2
Added DRB package to test condition for Input Offset Voltage parameter, T
A = –40°C to +85°C........................................ 3
Added performance specifications for Input Offset Voltage parameter, DBV package......................................................... 3
Added performance specifications for Average Offset Voltage Drift parameter, DBV package............................................ 3
Added footnote (2) to Electrical Characteristics (V
S = ±6V) table.......................................................................................... 3
Added paragraph (f) to the Board Layout section................................................................................................................ 18
Added PowerPAD Information section............................................................................................................................. 18
Changes from Original (December, 2008) to Revision A ............................................................................................... Page
Changed ordering information for SOT23-5 (DBV) package and added footnote; availability expected 2Q 2009 ............... 2
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Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): OPA659
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX4202ESA+T | IC BUFFER OPEN LOOP 8-SOIC |
| OPA659IDRBR | IC OPAMP WBND VFB JFET IN 8-SON |
| MAX4104ESA+T | IC OP AMP LOW NOISE 8-SOIC |
| P40-G240-WHX | CIRCUIT PROT 240MA 40VIMP TBU |
| RL0510S-R10-F | RES 0.10 OHM 1/6W 1% 0402 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OPA659IDBVT | 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET Inp amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| OPA659IDRBR | 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| OPA659IDRBT | 功能描述:高速運算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| OPA659IDRBT | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8 |
| OPA660 | 制造商:BB 制造商全稱:BB 功能描述:Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER AND BUFFER |
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