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參數(shù)資料
型號(hào)： OPA659IDBVR
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 11/32頁
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP JFET 650MHZ SGL SOT23-5
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
放大器類型： J-FET
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 2550 V/µs
增益帶寬積： 350MHz
-3db帶寬： 650MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 1000µV
電流 - 電源： 32mA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： ±3.5 V ~ 6.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SOT-23-5
包裝： 帶卷 (TR)
EVALUATION MODULE
Schematic and PCB Layout
+
6
2
-
7
4
3
+
www.ti.com ............................................................................................................................................ SBOS342B – DECEMBER 2008 – REVISED AUGUST 2009
Figure 40 is the OPA659EVM schematic. Layers 1 through 4 of the PCB are shown in Figure 41. It is
recommended to follow the layout of the external components near to the amplifier, ground plane construction,
and power routing as closely as possible.
Figure 40. OPA659EVM Schematic
Figure 41. OPA659EVM Layers 1 through 4
Copyright 2008–2009, Texas Instruments Incorporated
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Product Folder Link(s): OPA659
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PDF描述
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參數(shù)描述
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OPA659IDRBR 功能描述:高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 功能描述:高速運(yùn)算放大器 650MHz unity gain stable JFET inp Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
OPA659IDRBT 制造商:Texas Instruments 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC 制造商:Texas Instruments 功能描述:IC, OP-AMP, 350MHZ, 2550V/ us, SON-8
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