參數資料
型號： NUS5530MN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
中文描述： 集成功率MOSFET與進步黨低Vce（sat）開關晶體管
文件頁數： 8/9頁
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代理商： NUS5530MN
NUS5530MN
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR PNP TRANSISTOR
V
CE
, (Vdc)
Figure 16. Output Capacitance
V
CB
, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
0
225
125
100
75
25
0
15
5.0
10
50
200
175
150
30
20
25
35
Figure 17. Safe Operating Area
Co
0.01
0.10
1.00
10
0.10
1
10
100
1 ms
Thermal Limits
100 ms
1 s
I
C
,
10 ms
0.01
0.1
1
10
100
1000
D = 0.50
Single Pulse
D = 0.01
D = 0.20
D = 0.05
D = 0.10
t
1
, TIME (Sec)
Figure 18. Normalized Thermal Response
R
(
,
P(pk)
Duty Cycle = D = t
1
/t
2
JC
= 174
°
C/W
t
1
t
2
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PDF描述
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