參數(shù)資料
型號： NUS5530MN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor
中文描述： 集成功率MOSFET與進步黨低Vce（sat）開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 167K
代理商： NUS5530MN
NUS5530MN
http://onsemi.com
6
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR P
CHANNEL FET
8
12
4
0
16
1200
900
600
300
0
20
V
DS
, DRAIN
TO
SOURCE VOLTAGE ()
Figure 6. Capacitance Variation
C
Figure 7. Gate
to
Source and
Drain
to
Source Voltage versus Total Charge
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
T
S
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0
C
oss
C
iss
C
rss
1500
V
D
D
T
S
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Q
G
Q
GD
Q
GS
I
D
=
3.9 A
T
J
= 25
°
C
Q
GD
/Q
GS
= 3.0
Figure 8. Diode Forward Voltage versus
Current
0.3
0.1
0.5
0.7
0.9
5
3
2
1
0
I
S
,
V
SD
, SOURCE
TO
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
4
0.0001
1
0.01
10
0.1
0.01
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
0.1
1
0.001
Figure 9. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction
to
Ambient
Duty Cycle = 0.5
100
1000
N
T
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
PER UNIT BASE = R
JA
= 80
°
C/W
T
JM
T
A
= P
DM
Z
JA
(t)
SURFACE MOUNTED
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
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PDF描述
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