參數(shù)資料
型號(hào)： NTQD6866R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts
中文描述： 4700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： NTQD6866R2
NTQD6866R2
http://onsemi.com
9
PACKAGE DIMENSIONS
TSSOP–8
CASE 948S–01
PLASTIC
ISSUE O
DIM
A
B
C
D
F
G
J
J1
MIN
2.90
4.30
---
0.05
0.50
0.65 BSC
0.09
0.09
MAX
3.10
4.50
1.10
0.15
0.70
MIN
0.114
0.169
---
0.002
0.020
0.026 BSC
0.004
0.004
MAX
0.122
0.177
0.043
0.006
0.028
INCHES
MILLIMETERS
L
M
P
P1
6.40 BSC
0
---
---
0.252 BSC
0
---
---
8
2.20
3.20
8
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH. PROTRUSIONS OR GATE BURRS.
MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT
EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE.
DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL
NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE.
TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
DIMENSION A AND B ARE TO BE
DETERMINED AT DATUM PLANE -W-.
2.
3.
4.
5.
6.
SEATING
PLANE
PIN 1
1
4
8
5
DETAIL E
B
C
D
A
G
L
2X
L/2
–U–
S
U
0.20 (0.008) T
S
U
M
0.10 (0.004)
V
S
T
0.076 (0.003)
–T–
–V–
–W–
8x REF
K
K1
0.19
0.19
0.30
0.25
0.007
0.007
0.012
0.010
S
U
0.20 (0.008) T
P1
P
DETAIL E
F
M
0.25 (0.010)
K1
K
J J1
SECTION N–N
0.20
0.16
0.008
0.006
0.087
0.126
N
N
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PDF描述
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NTQD6968NR2G 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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