參數(shù)資料
型號： NTQD6866R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts
中文描述： 4700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： NTQD6866R2
NTQD6866R2
http://onsemi.com
5
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
RG, GATE RESISTANCE (
)
VSD, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
t
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
I
100
10
1
0.1
0.01
1000
100
1
5
4
3
2
1
0
10
8
6
4
2
0
0.4
10
2500
2000
10
1500
15
5
0
1000
500
0
5
Figure 8. Gate–to–Source Voltage
versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
20
0
6
4
2
8
1
10
100
0.5
0.7
0.8
0.1
10
100
1
0.6
10
10
12
ID = 5.8 A
TJ = 25
°
C
VGS
VDS = 0 V
VGS = 0 V
TJ = 25
°
C
Crss
Ciss
Coss
Crss
Ciss
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
VDD = 16 V
ID = 5.8 A
VGS = 4.5 V
VGS = 0 V
TJ = 25
°
C
tr
td(off)
td(on)
tf
RDS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
QT
Q2
Q1
10 ms
1 ms
100
μ
s
dc
VGS
VDS
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
TC = 25
°
C
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PDF描述
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NTR0202PLT3 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
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參數(shù)描述
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NTQD6968NR2 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTQD6968NR2G 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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