參數(shù)資料
型號(hào)： NTQD6866R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Power MOSFET 6.9 Amps, 20 Volts
中文描述： 4700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, CASE 948S-01, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 71K
代理商： NTQD6866R2
NTQD6866R2
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Notes 6 & 7)
Turn–On Delay Time
td(on)
–
10
18
ns
Rise Time
(VDD = 16 Vdc, ID = 5.8 Adc,
(VDD 16 Vdc, ID 5.8 Adc,
VGS = 4.5 Vdc, RG = 6.0
)
tr
–
45
80
Turn–Off Delay Time
td(off)
–
40
75
Fall Time
tf
–
90
150
Turn–On Delay Time
td(on)
–
8.0
–
ns
Rise Time
(VDD = 16 Vdc, ID = 5.8 Adc,
(VDD 16 Vdc, ID 5.8 Adc,
VGS = 4.5 Vdc, RG = 3.0
)
tr
–
45
–
Turn–Off Delay Time
td(off)
–
35
–
Fall Time
tf
–
75
–
Gate Charge
(VDS = 16 Vdc, VGS = 4.5 Vdc,
ID = 5.8 Adc)
4 5 Vd
Qtot
–
13
22
nC
Qgs
–
1.8
–
Qgd
–
4.5
–
BODY–DRAIN DIODE RATINGS
(Note 6)
Forward On–Voltage
(IS = 5.8 Adc, VGS = 0 Vdc)
(IS = 5.8 Adc, VGS = 0 Vdc, TJ = 100
°
C)
VSD
–
–
0.85
0.75
1.0
–
Vdc
Reverse Recovery Time
(IS= 5.8 Adc, VGS= 0 Vdc,
(IS = 5.8 Adc, VGS = 0 Vdc,
VDS
dI /dt
dIS/dt = 100 A/
μ
s)
trr
–
23
–
ns
ta
–
12
–
tb
–
11
–
Reverse Recovery Stored Charge
QRR
–
0.013
–
μ
C
6. Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle = 2%.
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTR0202PLT1 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
NTR0202PLT1G Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
NTR0202PLT3 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
NTR0202PLT3G Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package
NTR1P02T1 Power MOSFET
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參數(shù)描述
NTQD6866R2G 功能描述:MOSFET 20V 5.8A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTQD6968 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6.6 Amps, 20 Volts
NTQD6968N 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTQD6968NR2 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTQD6968NR2G 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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