參數(shù)資料
型號: NTMFS4841N
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Power MOSFET 30 V, 57 A(30V, 57A, 功率MOSFET)
中文描述: 功率MOSFET 30五,57甲(30V的,57A條,功率MOSFET的)
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代理商: NTMFS4841N
NTMFS4841N
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
125
°
C
100
°
C
25
°
C
Figure 13. EAS vs. Pulse Width
1000
1
100
PULSE WIDTH ( s)
I
10
10
1
100
Figure 14. FET Thermal Response
t, time (s)
1E04
1E03
1E02
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
0.001
0.01
0.1
1.0
R
J
,
T
0.0086
Ω
0.00004
Ambient
Normalized to R
θ
JA
at Steady State (1 inch)
0.026
Ω
0.078
Ω
0.748
Ω
4.92
Ω
0.0002
0.0006
0.004
0.033
7.46
Ω
0.139
15.76
Ω
1.03
23
Ω
2.4
51
Ω
57
Single Pulse
相關PDF資料
PDF描述
NTMS4704N Power MOSFET 30V, 12.3A, Single N Channel, SO8(30V, 12.3A,功率MOSFET)
NTMS4705N Power MOSFET 30V, 12A, Single N Channel, SO8(30V, 12A,功率MOSFET)
NTMS7N03R2 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts
NTP12N50 Power MOSFET 12 Amps, 500 Volts N-Channel(12A,500V,N溝道增強型MOS場效應管(TO-220封裝))
NTP13N10 Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220(13A,100V,N通道,增強模式,TO-200封裝的功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTMFS4841NH 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4841NHT1G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NHT3G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube