參數(shù)資料
型號(hào)： NTMFS4841N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 57 A(30V, 57A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，57甲（30V的，57A條，功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： NTMFS4841N
NTMFS4841N
http://onsemi.com
5
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
C
rss
10
0
10
15
30
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 7. Capacitance Variation
2000
0
V
GS
V
DS
5
5
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
Figure 8. GateToSource and DrainToSource
Voltage vs. Total Charge
0
2
1
0
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
3
8
V
DD
= 15 V
V
GS
= 11.5 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
Q
T
10
0
0.5
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
1
10
100
1000
1
t
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
0.6
0.7
5
10
15
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
10
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
0.8
0.9
20
30
25
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1
100
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1000
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
10
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
1 ms
100 s
10 ms
dc
10 s
20
1
100
0
25
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
D
= 19 A
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
50
75
20
60
80
100
125
100
180
E
A
,
A
150
1000
40
25
2200
1800
1600
1400
1200
200
800
600
400
1.0
120
V
G
,
4
2
6
16
14
26
12
Q
GS
140
160
12
11
10
9
8
7
6
5
Q
GD
18 20
22
24
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTMS4704N Power MOSFET 30V, 12.3A, Single N Channel, SO8(30V, 12.3A，功率MOSFET)
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NTP12N50 Power MOSFET 12 Amps, 500 Volts N-Channel(12A,500V,N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管(TO-220封裝）)
NTP13N10 Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220(13A,100V,N通道，增強(qiáng)模式，TO-200封裝的功率MOSFET)
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