參數(shù)資料
型號： NTMFS4841N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 57 A(30V, 57A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，57甲（30V的，57A條，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： NTMFS4841N
NTMFS4841N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4 V
5.5 V to 10 V
60
0.011
15
0.002
30
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1000
10000
0
30
20
2
1
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
3
0.013
0.012
0.009
0.008
0.005
5
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
I
D
,
55
25
5
15
35
45
85
65
2
3
15
10
30
5
3
V
DS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V
125
V
GS
= 0 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
50
40
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
40
30
20
10
0
4
5
T
J
= 25
°
C
20
0.1
V
GS
= 5 V
1.8
1.7
1.6
1.5
100
4
1
6
20
0.005
25
4.5 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
10
140
130
140
130
50
I
D
= 30 A
T
J
= 25
°
C
7
8
9
0.007
0.006
0.011
0.010
0.015
0.014
V
GS
= 11.5 V
105
10
T
J
= 25
°
C
0.008
10
5
60
70
6
7
8
10
11
0.017
0.014
25
60
70
80
90
100
110
120
80
90
100
110
120
0.017
0.016
40
55
45
50
35
1
T
J
= 125
°
C
145
0.018
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTMS4704N Power MOSFET 30V, 12.3A, Single N Channel, SO8(30V, 12.3A，功率MOSFET)
NTMS4705N Power MOSFET 30V, 12A, Single N Channel, SO8(30V, 12A，功率MOSFET)
NTMS7N03R2 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts
NTP12N50 Power MOSFET 12 Amps, 500 Volts N-Channel(12A,500V,N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管(TO-220封裝）)
NTP13N10 Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220(13A,100V,N通道，增強(qiáng)模式，TO-200封裝的功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTMFS4841NH 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL
NTMFS4841NHT1G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NHT3G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*