參數(shù)資料
型號： NTMFS4841N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 57 A(30V, 57A, 功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 30五，57甲（30V的，57A條，功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 85K
代理商： NTMFS4841N
NTMFS4841N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Unit
Max
Typ
Min
Test Condition
Symbol
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.9
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.8
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dI
/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
20.5
ns
Charge Time
t
a
11.6
Discharge Time
t
b
8.9
Reverse Recovery Charge
Q
RR
10.7
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
0.93
nH
Drain Inductance
L
D
0.005
Gate Inductance
L
G
1.84
Gate Resistance
R
G
3.2
3. Pulse Test: pulse width
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
300 s, duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NTP12N50 Power MOSFET 12 Amps, 500 Volts N-Channel(12A,500V,N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管(TO-220封裝）)
NTP13N10 Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220(13A,100V,N通道，增強(qiáng)模式，TO-200封裝的功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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NTMFS4841NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMFS4841NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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