參數(shù)資料
型號： NTJD2152P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P Channel, SC88 ESD Protection(8V雙功率MOSFET帶ESD保護(hù))
中文描述： 戴小信號MOSFET 8伏特的電壓，雙P通道，SC88 ESD保護(hù)（8V的雙功率MOSFET的帶靜電放電保護(hù)）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 133K
代理商： NTJD2152P
NTJD2152P
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
V
GS
Figure 7. Gate
to
Source and
Drain
to
Source Voltage vs. Total Charge
0
1.2
4
1
0
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
T
S
I
D
=
0.6 A
T
J
= 25
°
C
2
1.6
2
3
Q
GS
5
0.8
0.4
2.4
0.8
0.1
0
V
SD
, SOURCE
TO
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
I
S
,
V
GS
= 0 V
0.7
0.6
0.4
0
0.4
0.5
0.6
0.2
0.3
1
0.2
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
Q
G(TOT)
Q
GD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTJD4105C Small Signal MOSFET 20V/8.0V, Complementary, +0.63A/0.775A, SC88(小信號20V/8.0V，+0.63A/0.775A，MOSFET)
NTJD4152P Trench Small Signal MOSFET 20V, 0.88A, Dual P Channel, ESD Protected SC88(小信號20V，0.88A雙P溝道MOSFET)
NTJD4158C Small Signal MOSFET 30 V/(30V/)
NTJD4401N Small Signal MOSFET 20V, Dual N Channel, SC88 ESD Protection(小信號20V，雙N溝道MOSFET)
NTJS3151P Trench Power MOSFET 12V, 3.3A, Single P Channel, ESD Protected SC88(12V, 3.3A, 功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTJD2152P_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT1 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTJD2152PT1G 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTJD2152PT2 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTJD2152PT2G 功能描述:MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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