參數(shù)資料
型號(hào)： NE5500179A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON POWER MOS FET
中文描述： 硅功率MOS FET
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： NE5500179A-T1
Data Sheet PU10118EJ01V1DS
8
NE5500179A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
0
0
(Bottom View)
3.6±0.2
1.5±0.2
1
0.8 MAX.
1
Source
Gate
Drain
0.4±0.15
5.7 MAX.
5
0
0
4
4.2 MAX.
Source
Gate
Drain
R
1
9
2
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (UNIT: mm)
1.7
4.0
0
1
5
1
Gate
Source
Drain
0.5
6.1
0.5
Through Hole: 0.2
×
33
Stop up the hole with a rosin or
something to avoid solder flow.
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