參數(shù)資料
型號(hào)： NE5500179A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON POWER MOS FET
中文描述： 硅功率MOS FET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： NE5500179A-T1
Data Sheet PU10118EJ01V1DS
2
NE5500179A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
8.5
V
Gate to Source Voltage
V
GSO
5.0
V
Drain Current
I
D
0.25
A
Drain Current (Pulse Test)
I
D
Note
0.5
A
Total Power Dissipation
P
tot
10
W
Channel Temperature
T
ch
125
°
C
Storage Temperature
T
stg
65 to +125
°
C
Note
Duty Cycle
≤
50%, T
on
≤
1 s
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
3.0
4.8
6.0
V
Gate to Source Voltage
V
GSO
0
2.0
3.5
V
Drain Current (Pulse Test)
I
D
Duty Cycle
≤
50%, T
on
≤
1 s
340
mA
Input Power
P
in
f = 1.9 GHz, V
DS
= 4.8 V
0
20
22
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GSS
= 5.0 V
100
nA
Saturated Drain Current
(Zero Gate Voltage Drain Current)
I
DSS
V
DSS
= 8.5 V
100
nA
Gate Threshold Voltage
V
th
V
DS
= 4.8 V, I
DS
= 1 mA
1.0
1.45
2.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 4.8 V, I
DS
= 250 mA
420
mS
Drain to Source Breakdown Voltage
BV
DS
I
DSS
= 10
μ
A
20
24
V
Thermal Resistance
R
th
Channel to Case
10
°
C/W
Linear Gain
G
L
f = 1.9 GHz, P
in
= 10 dBm,
V
DS
= 4.8 V, I
Dset
= 200 mA,
Note 1, 2
14.0
dB
Output Power
P
out
f = 1.9 GHz, P
in
= 20 dBm,
28.5
30.0
dBm
Operating Current
I
op
V
DS
= 4.8 V, I
Dset
= 200 mA,
Note 1, 2
340
mA
Power Added Efficiency
η
add
48
55
%
Notes 1.
Peak measurement at Duty Cycle
≤
50%, T
on
≤
1 s.
2.
DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.
Wafer rejection criteria for standard devices is 1 reject for several samples.
!
!
!
!
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5510179A 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE5510179A-T1 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
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