參數(shù)資料
型號(hào)： NE5500179A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON POWER MOS FET
中文描述： 硅功率MOS FET
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： NE5500179A-T1
Data Sheet PU10118EJ01V1DS
7
NE5500179A
S-PARAMETERS
Test Conditions: V
DS
= 4.8 V, I
Dset
= 100 mA
Frequency
GHz
S
11
S
21
MAG.
S
12
MAG.
S
22
MAG
Note
MSG
Note
dB
K
MAG.
ANG.
dB
ANG.
dB
ANG.
MAG.
ANG.
dB
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
0.844
0.792
0.757
0.747
0.746
0.751
0.756
0.772
0.777
0.785
0.796
0.804
0.814
0.820
0.827
0.832
0.833
0.846
0.843
0.850
0.851
0.854
0.861
0.857
0.870
0.870
0.867
0.870
0.873
0.882
69.6
107.8
127.4
138.7
146.2
151.8
155.6
159.5
162.3
165.0
167.7
169.9
172.4
174.6
176.8
179.6
177.9
175.6
172.9
170.3
167.1
165.1
162.3
159.5
156.6
153.9
151.6
148.9
146.5
143.9
25.2
21.7
18.7
16.4
14.5
12.7
11.3
9.9
8.8
7.6
6.7
5.7
4.8
4.0
3.2
2.5
1.5
1.1
0.2
0.0
1.0
1.6
2.4
2.3
3.4
3.6
5.0
4.8
5.6
5.7
18.11
12.12
8.58
6.58
5.28
4.32
3.68
3.12
2.75
2.40
2.17
1.91
1.74
1.58
1.45
1.33
1.19
1.13
1.02
0.99
0.89
0.83
0.75
0.76
0.67
0.65
0.56
0.57
0.52
0.51
135.5
112.3
98.8
89.4
82.1
76.2
70.9
65.9
61.3
58.2
53.7
51.4
46.4
44.3
39.7
38.4
34.6
31.6
28.3
27.1
23.3
21.4
16.9
15.5
13.8
12.0
9.0
3.9
4.7
2.7
28.5
26.1
25.5
25.7
25.7
26.0
26.3
26.4
26.9
27.2
27.8
28.3
28.7
29.0
28.9
30.0
30.5
31.0
31.8
32.2
33.5
34.1
35.1
34.9
36.1
35.8
39.4
39.9
42.4
41.3
0.037
0.049
0.052
0.052
0.052
0.050
0.048
0.048
0.045
0.043
0.040
0.038
0.036
0.035
0.035
0.031
0.030
0.028
0.025
0.024
0.021
0.019
0.017
0.017
0.015
0.016
0.010
0.010
0.007
0.008
48.2
23.2
10.8
3.3
4.1
8.9
12.6
17.0
22.1
21.9
26.9
29.2
30.5
31.4
36.6
38.5
38.3
38.7
38.1
40.9
42.9
48.0
43.6
40.8
49.0
36.8
33.0
43.4
18.3
15.0
0.517
0.569
0.598
0.618
0.641
0.660
0.681
0.696
0.715
0.732
0.749
0.763
0.776
0.789
0.803
0.808
0.814
0.829
0.834
0.840
0.842
0.847
0.856
0.866
0.862
0.865
0.866
0.879
0.879
0.885
85.0
120.7
136.5
144.8
149.5
153.4
156.2
158.9
161.0
162.9
164.9
166.9
169.1
171.0
172.7
175.0
176.7
179.2
178.7
176.5
174.4
172.1
169.1
167.0
164.7
162.0
159.1
156.7
154.5
152.0
12.4
11.7
10.9
11.5
10.2
10.1
7.8
8.6
7.6
8.2
26.8
23.9
22.1
21.0
20.1
19.3
18.8
18.1
17.9
17.4
17.2
17.0
16.8
16.5
16.1
16.3
16.0
16.1
16.0
16.1
0.00
0.06
0.08
0.11
0.13
0.18
0.22
0.23
0.28
0.33
0.35
0.42
0.45
0.48
0.44
0.62
0.78
0.70
0.98
0.97
1.42
1.62
1.88
1.68
2.20
2.13
4.44
3.96
6.01
4.60
Note
When K
≥
1, the MAG (Maximum Available Gain) is used.
MAG =
When K
<
1, the MSG (Maximum Stable Gain) is used.
MSG =
, K =
,
= S
11
S
22
S
21
S
12
LARGE SIGNAL IMPEDANCE (V
DS
= 4.8 V, I
Dset
= 100 mA, P
in
= 20 dBm)
f (GHz)
Z
in
(
)
Z
OL
(
)
Note
1.9
TBD
TBD
Note
Z
OL
is the conjugate of optimum load impedance at given voltage, idling current, input power and frequency.
S
21
S
12
S
21
S
12
(K –
√
(K
2
– 1) )
1+
2
S
11
2
S
22
2
2
S
12
S
21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5510179A 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE5510179A-T1 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE5511279A NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NE5511279A-T1 NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NE5511279A-T1A NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5500179A-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS
NE5500234-AZ 功能描述:MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
NE5500234-T1-AZ 功能描述:MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
NE5500479A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
NE5500479A-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS 制造商:Renesas 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin Case 79A
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