參數(shù)資料
型號： NAND16GW3B4DN6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 5/17頁
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代理商： NAND16GW3B4DN6E
NAND16GW3B4D
DC and AC parameters
13/17
5
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions as well as the DC and
AC characteristics of the device. The parameters in the following DC and AC characteristics
tables are derived from tests performed under the measurement conditions summarized in
operating conditions in their circuit match the measurement conditions when relying on the
quoted parameters.
Table 5.
Operating and AC measurement conditions
Parameter
Min
Max
Units
Supply voltage (VDD)2.7
3.6
V
Ambient temperature (TA)
0
70
°C
–40
85
°C
Load capacitance (CL) (1 TTL GATE and CL)50
pF
Input pulses voltages
0
VDD
V
Input and output timing ref. voltages
VDD/2
V
Output circuit resistor Rref
8.35
k
Input rise and fall times
5
ns
Table 6.
Capacitance(1)
1.
TA = 25 °C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input capacitance
VIN = 0 V
10
pF
CI/O
Input/output
capacitance
VIL = 0 V
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NB2762ASNR2 EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
NC7SB121P5X 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5
NCC2222AUB 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NAND16GW3D2BN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT MLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND16GW3F2AN6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT SLC 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND16GW3F2AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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