參數(shù)資料
型號(hào)： NAND128W4A2CZA6E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝： 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件頁數(shù)： 41/56頁
文件大?。?/td> 1209K
代理商： NAND128W4A2CZA6E
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/56
Data Protection
The ST NAND device is designed to guarantee
Data Protection during Power Transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND opera-
tions, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of
nominal range, the WP pin should be kept low
(VIL) to guarantee hardware protection during
power transitions as shown in the below figure.
Figure 36. Data Protection
Ai11086
VLKO
VDD
W
Nominal Range
Locked
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND256R4A2DZA1F 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
NAND256W3A1BZA1E 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
NAND256W3A1DN1F 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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