參數(shù)資料
型號: NAND128W4A2CZA6E
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: PROM
英文描述: 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝: 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件頁數(shù): 38/56頁
文件大小: 1209K
代理商: NAND128W4A2CZA6E
43/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 30. Page Program AC Waveform
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
SR0
ai08037
N
Last
10h
70h
80h
Page Program
Setup Code
Confirm
Code
Read Status Register
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
Page
Program
Address Input
Data Input
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Write Cycle time)
(Program Busy time)
相關PDF資料
PDF描述
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND256R4A2DZA1F 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
NAND256W3A1BZA1E 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
NAND256W3A1DN1F 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND16GW3B6DPA6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND16GW3B6DPA6F 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040