參數(shù)資料
型號(hào)： NAND128W4A1AV6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, PLASTIC, WSOP-48
文件頁數(shù)： 37/56頁
文件大?。?/td> 882K
代理商： NAND128W4A1AV6
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
42/56
Figure 32. Read C Operation, One Page AC Waveform
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are ‘don’t care’.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWHALL
Data M
Data
Last
tALLRL2
ai08035
tWHBH
tBHRL
50h
Add. M
cycle 1
Add. M
cycle 4
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 2
Busy
Command
Code
Address M Input
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R3M0BZBE SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
NAND99R3M2AZBB5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
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參數(shù)描述
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NAND16GAHAPZO6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
NAND16GW3B6DPA6E 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND16GW3B6DPA6F 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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