參數(shù)資料
型號(hào)： NAND04GW4B2AN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 49/57頁(yè)
文件大小： 887K
代理商： NAND04GW4B2AN1E
53/57
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 39. VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 27. VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.05
0.0413
A1
0.25
0.0098
A2
0.70
0.0276
b
0.45
0.40
0.50
0.0177
0.0157
0.0197
D
9.50
9.40
9.60
0.3740
0.3701
0.3780
D1
4.00
0.1575
D2
7.20
0.2835
ddd
0.10
0.0039
E
12.00
11.90
12.10
0.4724
0.4685
0.4764
E1
5.60
0.2205
E2
8.80
0.3465
e
0.80
–
0.0315
–
FD
2.75
0.1083
FD1
1.15
0.0453
FE
3.20
0.1260
FE1
1.60
0.0630
SD
0.40
0.0157
SE
0.40
0.0157
E
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z67
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
FE1
e
E1
D1
FD
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND02GW4B2AN1T 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND08GAH0BZA5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 169LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0FZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND08GAH0JZC5E 功能描述:IC FLASH 8GBIT 52MHZ 153LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND08GR3B4CZL6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND08GR3B4CZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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